LAMBARDI, DAVIDE
LAMBARDI, DAVIDE
DIPARTIMENTO DI SCIENZA DEI MATERIALI
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Development and characterization of a GaAs MQW-based IR-LED grown by MOVPE
2026 Lambardi, D
Local droplet etching of a vicinal InGaAs(111)A metamorphic layer
2024 Tuktamyshev, A; Lambardi, D; Vichi, S; Cesura, F; Cecchi, S; Fedorov, A; Bietti, S; Sanguinetti, S
Strain Relaxation of InAs Quantum Dots on Misoriented InAlAs(111) Metamorphic Substrates
2022 Tuktamyshev, A; Vichi, S; Cesura, F; Fedorov, A; Carminati, G; Lambardi, D; Pedrini, J; Vitiello, E; Pezzoli, F; Bietti, S; Sanguinetti, S
| Titolo | Tipologia | Data di pubblicazione | Autori | File |
|---|---|---|---|---|
| Development and characterization of a GaAs MQW-based IR-LED grown by MOVPE | 07 - Tesi di dottorato Bicocca post 2009 | 2026 | LAMBARDI, DAVIDE | |
| Local droplet etching of a vicinal InGaAs(111)A metamorphic layer | 01 - Articolo su rivista | 2024 | Tuktamyshev, ArturLambardi, DavideVichi, StefanoCesura, FedericoCecchi, StefanoBietti, SergioSanguinetti, Stefano + | |
| Strain Relaxation of InAs Quantum Dots on Misoriented InAlAs(111) Metamorphic Substrates | 01 - Articolo su rivista | 2022 | Tuktamyshev, ArturVichi, StefanoCesura, FedericoLambardi, DavidePedrini, JacopoVitiello, ElisaPezzoli, FabioBietti, SergioSanguinetti, Stefano + |